Intel e Micron inventano 3D XPoint, la memoria rivoluzionaria

Intel e Micron 3D XPoint, la memoria rivoluzionaria

Intel e Micron introducono la tecnologia 3D XPoint, una piattaforma per memorie non volatili ad alte prestazioni strutturate per accelerare device, applicazioni e servizi.
Già in fase di produzione, la tecnologia 3D XPoint rappresenta un notevole passo in avanti nella tecnologia di processo della memoria ed è la prima nuova categoria di memorie dall'introduzione di flash NAND nel 1989.
La nuova piattaforma combina le prestazioni, la densità, il consumo energetico, la non volatilità e i vantaggi in termini di costi di tutte le tecnologie di memoria oggi disponibili sul mercato. Questa tecnologia è fino a 1.000 volte più veloce e ha una durata di fino a 1.000 volte superiore rispetto a NAND, oltre a una densità 10 volte superiore rispetto alla memoria convenzionale.

Rob Crooke, Senior Vice President e General Manager del Non-Volatile Memory Solutions Group di Intel
Da diversi decenni si cercano soluzioni nel settore per ridurre il tempo di latenza tra il processore e i dati e per velocizzare l'analisi. Questa nuova categoria di memoria non volatile raggiunge questo obiettivo e offre prestazioni rivoluzionarie per le soluzioni di memoria e storage.

Mark Adams, President di Micron
Uno degli ostacoli più significativi del computing è oggi costituito dal tempo richiesto al processore per accedere ai dati presenti nei dispositivi di storage a lungo termine. Questa nuova categoria di memoria non volatile costituisce una tecnologia rivoluzionaria che velocizza l'accesso a enormi insiemi di dati e rende possibili applicazioni interamente nuove.

Con la rapida crescita del mondo digitale - dai 4,4 Zettabyte di dati digitali creati nel 2013 ai 44 Zettabyte previsti entro il 2020 - la tecnologia 3D XPoint è in grado di trasformare questa immensa mole di dati in informazioni significative in pochi nanosecondi. I retailer possono ad esempio impiegare la tecnologia 3D XPoint per identificare più rapidamente modelli di rilevamento di frodi nelle transazioni finanziarie, mentre i ricercatori in campo sanitario possono elaborare e analizzare set di dati più ampi in tempo reale, accelerando attività complesse come l'analisi genetica e il monitoraggio delle malattie.

I vantaggi prestazionali della tecnologia 3D XPoint possono inoltre ottimizzare l'esperienza con i PC, consentendo agli utenti di interagire più velocemente con i social media e la collaborazione, oltre ad offrire esperienze più coinvolgenti con i videogame. Grazie alla natura non volatile della memoria, questa tecnologia rappresenta anche la scelta ideale per un'ampia varietà di applicazioni di storage a bassa latenza, perché i dati non vengono cancellati quando il dispositivo viene spento.
Queste memorie sono pensate per ridurre significativamente le latenze, consentendo di archiviare molti più dati in prossimità del processore e di renderli accessibili a velocità finora impossibili per lo storage non volatile.

L'innovativa architettura cross point senza transistor crea una scacchiera tridimensionale in cui le celle di memoria risiedono all'intersezione di linee di word e linee di bit, consentendo l'indirizzamento delle singole celle. Pertanto, i dati possono essere scritti e letti in piccole dimensioni, con conseguenti processi di lettura/scrittura più veloci ed efficienti.

Altri dettagli sulla tecnologia 3D XPoint:
• Struttura ad array cross point: i conduttori perpendicolari connettono 128 miliardi di celle di memoria ad alta densità. Ogni cella di memoria archivia un singolo bit di dati. Questa struttura compatta comporta elevate prestazioni e alta densità di bit.
• Celle impilabili: oltre alla struttura compatta ad array cross point, le celle di memoria sono impilate in più strati. La tecnologia iniziale archivia 128 Gb per die su due strati di memoria. Nelle future generazioni, sarà possibile aumentare il numero di strati di memoria, oltre alla tradizionale scalabilità del passo litografico, migliorando ulteriormente la capacità del sistema.
• Selettore: le celle di memoria sono accessibili e vengono scritte o lette variando l'entità della tensione inviata a ogni selettore. In questo modo si elimina la necessità dei transistor, aumentando la capacità a fronte di una riduzione dei costi.
• Cella a commutazione rapida: con le dimensioni ridotte delle celle, il selettore di commutazione rapida, l'array cross point a bassa latenza e l'algoritmo di scrittura veloce, la cella è in grado di cambiare stato più rapidamente rispetto a qualsiasi altra tecnologia di memoria non volatile oggi disponibile.